На протяжении многих лет люди стараются увеличить производительность электроники. Это достигается двумя путями: повышением частоты работы, либо увеличением числа вычислительных элементов. У первого подхода есть ограничение, которое обусловлено тепловыделением. Второй же подход ограничен лишь размерами полупроводников. И этот параметр ограничен лишь размерами атома. И ученым удалось приблизиться к этому.

На картинке вы видите то, что может быть не только одной из самых маленьких полупроводниковых деталей из когда-либо созданных, но это одна из самых маленьких полупроводниковых деталей из вообще возможных физически. Международная группа исследователей смогла создать транзистор, который состоит всего из одной молекулы фталоцианина меди, дюжины атомов индия и арсенида индия в качестве материала подложки. Идея заключается в том, чтобы отказаться от привычной механики транзисторов, которая обычно контролирует ток, путем модуляции напряжения на затворе, в пользу эффекта поля. Здесь же, вам нужно лишь изменять расстояние затвора (в данном случае, это атомы) чтобы модулировать электроэнергию.

Правда еще рано готовиться к миру, в котором будут крошечные, но мощные и сложные устройства. Ученые создали данный транзистор в условиях практически полного вакуума, при температуре четь выше абсолютного нуля (около -273 ° С). Это очень далеко от реальных условий, поэтому пройдет еще уйма времени, и будет потребуется множество исследований, прежде чем столь маленькие транзисторы появятся в потребительских устройствах. Тем не менее, данное изобретение можно назвать прорывом. И также оно показывает, что человечеству предстоит еще долгий путь, пока мы упремся в потолок физических размеров электроники. опубликовано econet.ru