Новый материал значительно увеличит эффективность компьютеров

Группа исследователей разработала новый материал, который потенциально может повысить эффективность компьютеров и магнитной памяти.

Учёные из Университета Миннесоты при поддержке Semiconductor Research Corporation разработали и запатентовали квантовый материал, способный улучшить эффективность обработки и хранения данных в 18 раз.

О полученных результатах они сообщили в журнале Nature Materials. Статья получила большой резонанс в полупроводником индустрии, и авторы уже получили многочисленные запросы на тестовые образцы.

"Мы использовали квантовый материал, который за последние несколько лет привлек много внимания в отрасли полупроводниковой промышленности, но в этой работе был использован уникальный метод создания материала с новыми физическими и спинэлектронными свойствами, которые значительно улучшат эффективность компьютеров", - сообщили ведущий научный сотрудник Цзянь-Пин Ван из Университета Миннесоты, профессор Макнайт и профессор Роберт Ф. Хартманн.

Новый материал принадлежит классу так называемых топологических изоляторов (ТИ). Они широко известны благодаря уникальным магнитным и спинэлектронным свойствам, но существующие методы изготовления ТИ, такие как выращивание монокристаллов и молекулярно-лучевая эпитаксия тонких плёнок, плохо масштабируются и поэтому непригодны для промышленного внедрения.

В своей работе авторы впервые применили для нанесения тонкой плёнки ТИ (селенида висмута — Bi2Se3) технику распыления. Полученный таким способом слой топологического изолятора состоял из очень мелких зёрен (менее 6 нм), из-за чего вступил в силу эффект квантовой локализации и поведение электронов существенно изменилось.

Использование практичного и хорошо масштабируемого процесса распыления для производства квантового материала противоречило интуиции всех исследователей в этой области и полученный эффект теперь требует изменения существующей теории топологических изоляторов. Исследователи говорят, что начатая ими четыре года назад работа — лишь предвестник серьезного прогресса в полупроводниковой и смежных отраслях, включая магнитную память MRAM. опубликовано econet.ru  

Если у вас возникли вопросы по этой теме, задайте их специалистам и читателям нашего проекта здесь.

P.S. И помните, всего лишь изменяя свое потребление - мы вместе изменяем мир! © econet