Пленки из монокристаллического кремния научились выращивать в 10 раз быстрее

От этой технологии ожидают значительного снижения себестоимости производства монокристаллических кремниевых солнечных панелей при одновременном сохранении эффективности генерирования энергии.

Скорость преобразования кремниевого исходника в тонкую плёнку является сдерживающим фактором в производстве плёнок монокристаллического кремния для солнечных элементов. Химическим осаждением из газовой фазы (CMD) — основной метод ,используемый для эпитаксии — такая плёнка формируется с максимальной скоростью всего несколько микрометров в час.

В лаборатории токийского Университета Васэда, профессор Сугуру Нода (Suguru Noda) поднял температуру кремниевого пара с 1414° (точка плавления) до >2000°. Увеличенное парциальное давление позволило довести скорость кристаллизации плёнки до 10 мкм в минуту.

Плёнка осаждалась на затравочном слое пористого кремния, шероховатость поверхности которого предварительно была уменьшена до 0,2–0,3 нм методом рекристаллизации с зонным нагревом. Это позволило уменьшить количество дефектов в монокристаллической пластине до уровня промышленных кремниевых пластин.

Как указывается в статье, опубликованной по результатам работы в журнале Королевского Химического Общества, CrystEngComm, в принципе этот метод может улучшить выход годного материала на 100%.

Таким образом, от этой технологии ожидают значительного снижения себестоимости производства монокристаллических кремниевых солнечных панелей при одновременном сохранении эффективности генерирования энергии. Также предполагается использовать подобные тонкие плёнки в качестве нижних элементов тандемных солнечных батарей с общим кпд более 30%.  опубликовано econet.ru  Если у вас возникли вопросы по этой теме, задайте их специалистам и читателям нашего проекта здесь.

P.S. И помните, всего лишь изменяя свое потребление - мы вместе изменяем мир! © econet